Procesul cu izoplanar

Procesul cu izoplanar

Etapele tehnologice necesare pentru realizarea componentei fundamentale care si aici este tot tranzistorul npn, sunt prezentate simplificat in fig.9.

Se porneste de la o placheta de tip p, se difuzeaza stratul ingropat, se creste stratul epitaxial de tip n.

Se acopera placheta cu bioxid de siliciu si nitrura, dupa care printr-un proces fotolitografic se deschid ferestre prin care se va coroda siliciul pana la o adancime aproximativ egala cu jumatatea grosimii stratului epitaxial.

Urmeaza oxidarea profunda pana cand bioxidul de siliciu crescut termic ajunge la suprafata plachetei.

Aceasta varianta tehnologica are cateva avantaje importante:

- reducerea ariei consumate pentru izolare si deci cresterea numarului de componente pe cip;

- reducerea capacitatilor parazite asociate jonctiunilor prin micsorarea ariei si in consecinta cresterea vitezei de lucru;

- imunitate la erori de gravura, dezalinierea fiind "compensata" de grosimea zidurilor de bioxid;

- denivelari neinsemnate ale plachetei (in final) care imbunatatesc posibilitatile de interconectare.

Fig.9. Procesul izoplanar, etape tehnologice

Obs. Pentru imbunatatirea performantelor si/sau simplificarea tehnologiei au fost elaborate proiecte ale unor procese alternative fata de procesul standard, cum ar fi:

- procese derivate care folosesc o logica integrata de injectie (I2L - integrated injection logic);

- procesul CDI ( collector diffusion isolation - izolare cu difuzia de colector);

- procesul BDI (base diffusion isolation - izolare prin difuzia de baza);

- TRIM - proces cu trei masti (three masks);

- procesul izoplanar;

- procesul in care se utilizeaza corodarea anizotropa a siliciului.