QReferate - referate pentru educatia ta.
Cercetarile noastre - sursa ta de inspiratie! Te ajutam gratuit, documente cu imagini si grafice. Fiecare document sau comentariu il poti downloada rapid si il poti folosi pentru temele tale de acasa.



AdministratieAlimentatieArta culturaAsistenta socialaAstronomie
BiologieChimieComunicareConstructiiCosmetica
DesenDiverseDreptEconomieEngleza
FilozofieFizicaFrancezaGeografieGermana
InformaticaIstorieLatinaManagementMarketing
MatematicaMecanicaMedicinaPedagogiePsihologie
RomanaStiinte politiceTransporturiTurism
Esti aici: Qreferat » Documente diverse

- Comunicatii optice





Enunt: Sa se proiecteze o linie de transmisie punct cu punct cu urmatorii parametrii:
. Viteza de transmisie vT=10m/7Mbps, unde m=pozitia in subgrupa;
. Distanta pe care se face transmisia L=l.N(km), unde N=partea intreaga(5+36/m), l=500m;
. Rata erorii admise la transmisie BER=10-9.

Sunt disponibile urmatoarele componente electronice:
. LED din GaAlAs cu parametrii: largimea spectrala =40nm, lungimea centrala de emisie 0=850nm, puterea Ps=40mW, capacitatea Cd=150.k1 pF, pretul 3/k1 $;
. LED din InGaAsP cu parametrii: =100nm, 0=1.3m, Ps=40mW, Cd=50.k1 pF, pretul 6/k1$ (k1={1,1.1, . . ,2});



Ambele surse pot fi comandate cu un curent de deschidere Id=60mA, care se obtine la iesirea unei porti 74LS140 si se utilizeaza o schema de tipul:










Se pot alege urmatoarele tipuri de FO:
. FO multimod cu parametrii: apertura numerica NA=0.05.k1, atenuarea F=4.k1 dB/Km, banda/Km B0=400/k1 Mhz.Km, dispersia materiala Dmat=0.07 ns/nm.Km (la 850nm) si Dmat=5.10-3 ns/nm.Km (la 1.3m). Pretul este 1/k1 $/m;
. FO monomod cu parametrii: apertura numerica NA=2.k1.10-3, atenuarea F=k1 dB, banda/km B0=1.5/k1 Ghz.Km, dispersia mate-riala Dmat=10-3 (la 850nm) si Dmat=0 (la 1.3m). Pretul este 5/k1 $/m.

Fotoreceptorul ce este utilizat este o fotodioda in avalansa, si are urmatorii parametrii: responsivitatea R0=0.07.k2 A/W, T=300K, Cd=5pF, x=0.5, k2={5..10}, pretul =50.k2 $.
Se mai cunosc: sarcina electronului q=1.6.10-19 C, constanta lui Boltzman kb=1.38.10-23J/K, constanta lui Planck h=6.625.10-34J.sec, gradul de interferenta intersimbol .
Datele personale sunt: m =8, nr.grupei =1, nr.subgrupei =1.

Receptorul se proiecteaza in toate cele 4 cazuri cunoscute cu impedanta ridicata si transimpedanta, folosind tranzistoare bipolare si/sau FET. Proiectarea se face folosind cele 2 tipuri de bilanturi (a timpilor si a puterii), in ambele situatii utilizand codurile de linie NRZ si RZ. Din cele 8 cazuri ce vor rezulta se va alege cel ce are criteriul pret/performanta cel mai bun. Linia de transmisie este formata din tronsoane de FO de lungime l=500m. Aceste tronsoane se sudeaza intre ele, sudurile avand o atenuare de 0.1dB, iar la capatul liniei optice se cupleaza la emitator/receptor prin conectori cu atenuarea de 1dB (pretul/sudura=1$, preturi conectori FO monomod = 10$, FO multimod = 2.5$).


Proiectarea propriuzisa

1.Proiectarea emitatorului

Vom lua pentru k1 si k2 valorile k1=1,2 , k2=5 deoarece pentru aceste valori se obtine cel mai bun raport pret/calitate. Acest lucru se poate observa ruland fisierul Mathcad ProCo.mcd (in care s-au facut calculele) si incercand diverse valori pentru k1 si k2. Deoarece m=8 se vor obtine urmatoarele rezultate:
VT=10m/7=13.895Mbps
N=[5+36/m]=10
Distanta pe care se face transmisia este L=N.l=10.500=5km
Durata unui bit Tb, se calculeaza cu relatia:

Timpul maxim de degradare a impulsurilor va fi:
-pentru un cod NRZ Tbit=Tb.0.7=50.377ns;
-pentru un cod RZ Tbit=Tb.0.35=25.189ns.
Se ia din catalog pentru dioda laser o valoare a tensiunii de deschidere a diodei Ud=2V si V0l=0.4V pentru 74LS140. Rezistentele R si R1, se calculeaza conform relatiilor:

Se alege pentru R valoarea de 42ohmi.
Daca se alege pentru C1 o valoare de C1=68pF, rezulta timpii de crestere ai ansamblului in cele 2 cazuri:
- pentru dioda laser GaAlAs: tRLC1=R.(C1+CD)=10.42ns;
- pentru dioda laser InGaAsP: tRLC2=R.(C1+CD)=5.376ns.
Timpii de crestere ai transmitatoarelor se calculeaza cu relatia:
,
si rezulta valorile (pentru tTTL=10ns - extras din catalog):
-pentru dioda GaAlAs: ttx1=14.44ns;
-pentru dioda InGaAsP: ttx2=11.35ns.

Descarca referat

E posibil sa te intereseze alte documente despre:


Copyright © 2024 - Toate drepturile rezervate QReferat.com Folositi documentele afisate ca sursa de inspiratie. Va recomandam sa nu copiati textul, ci sa compuneti propriul document pe baza informatiilor de pe site.
{ Home } { Contact } { Termeni si conditii }