Diode redresoare

Diode redresoare

Varianta cea mai uzuala este dioda p+pn+.

Etapele de realizare ale acestei diode sunt:

- realizarea structurii;

- protectia suprafetei jonctiunii;

- realizarea contactelor termice si electrice;

- protectia climatica;

- sortarea;

- controlul de calitate si de receptie.

Structura redresoare se realizeaza pe siliciu monocristalin ai carui parametrii (rezistivitate, densitate de dislocatii, timp de viata al purtatorilor minoritari, dopare initiala) sunt alesi in concordanta cu parametrii diodei ce urmeaza a fi realizate.

Monocristalul este apoi taiat in plachete, dupa anumite directii si este rodat pentru a se obtine planeitatea, paralelismul si grosimea necesara. Etapele de obtinere ale structurii pentru o dioda dublu difuzata sunt prezentate in fig.1.

Fig.1. Etape de realizare ale unei diode redresoare dublu difuzate de putere

Pentru diodele de mica putere se folosesc pentru contactare aliaje pe baza de plumb, dupa ce in prealabil pe fetele dezoxidate ale plachetei s-au depus succesiv un strat de nichel si unul de aur.

Pentru diodele de putere contactul dintre structura si contraelectrozii de molibden pe zonele n+ si p+ se realizeaza prin alierea superficiala a siliciului cu aluminiu. Incapsularea structurii trebuie sa permita contactarea electrica si nu in

ultimul rand transferul de caldura de la jonctiune in mediul ambiant. In plus, trebuie evitata contaminarea suprafetei jonctiunii, trebuie protejata structura de eforturi mecanice exterioare sau de socuri termice.

Sortarea diodelor se face fie, pe caracteristica directa(tensiunea directa pentru curentul direct respectiv maxim, testarea curentului de suprasarcina garantat) fie pe cea inversa (masurarea tensiunii de strapungere prin avalansa si a curentului invers).