Metoda de dopare selectiva si controlata a materialelor semiconductoare

Metoda de dopare selectiva si controlata a materialelor semiconductoare

Cea mai folosita metoda este difuzia. Difuzia este un proces prin care o specie atomica neuniforma distribuita intru-un anumit spatiu, se deplaseaza pentru a realiza o distributie uniforma in acel spatiu.

Procesul de difuziune are doua etape importante:

- predifuzia (difuzia din sursa finita de impuritati), prin care se introduce superficial, in placheta semiconductoare o cantitate bine determinata de atomi de impuritate;

- difuzia propriu-zisa (difuzia in sursa constanta) care realizeaza o redistribuire "convenabila" a impuritatilor predifuzate.

Predifuzia se desfasoara intr-un reactor in care, intr-un gaz purtator se introduc (din sursa solida, lichida sau prin reactie chimica de suprafata)atomi de impuritate a caror presiune partiala (in gaz) depaseste o valoare ce ar corespunde solubilitatii mazime a impuritatii in materialul semiconductor la temperatura de lucru.

Difuzia propriu-zisa urmeaza predifuziei (sau unei operatii de implantare ionica prin care, superficial, a fost introdusa o anumita cantitate de dopant).

Difuzia propriu-zisa se desfasoara in atmosfera oxidanta si lipsita de impuritati intr-un reactor de difuziune. Oxidul ce se formeaza impiedica alte impuritati sa intre in placheta si le pastreaza pe cele deja introduse.