Administratie | Alimentatie | Arta cultura | Asistenta sociala | Astronomie |
Biologie | Chimie | Comunicare | Constructii | Cosmetica |
Desen | Diverse | Drept | Economie | Engleza |
Filozofie | Fizica | Franceza | Geografie | Germana |
Informatica | Istorie | Latina | Management | Marketing |
Matematica | Mecanica | Medicina | Pedagogie | Psihologie |
Romana | Stiinte politice | Transporturi | Turism |
Tehnologia bipolara. Procesul standard cu strat ingropat.
In cazul circuitelor integrate este necesar ca pe acelasi "cip" sa fie realizate mai multe componente electronice pasive si active, izolate cat mai bine intre ele pentru a nu interactiona electric si interconectate in asa fel incat sa realizeze un anumit circuit.
Procesul standard cu strat ingropat preia ideile fundamentale al tehnologiei planar epitaxiale folosite la realizarea tranzistorului discret. Componentele sunt izolate intre ele prin jonctiuni blocate. In procesul standard, (fig.5):
- se porneste de la o placheta din siliciu (111 sau 100) de tip p cu o rezistivitate tipica de ordinul a 6-12 ohmi.cm.
- Etapa I-a - predifuzia unui strat ingropat dupa ce in prealabil a fost realizata printr-un proces fotolitografic o masca (masca 1) potrivita din bioxid de siliciu.
- Etapa a II-a - consta in cresterea epitaxiala la temperatura joasa a unui strat de tip n.
- Etapa a III-a - este formarea zidurilor de izolare dintre chesoane. Aceasta etapa implica un nou proces fotolitografic (masca 2) in urma caruia se realizeaza o masca in oxidul crescut termic peste care s-a depus un strat de nitrura de siliciu.
- Etapa a IV-a - (masca 3), conduce la formarea bazei.
- Etapa a V-a - consta in realizarea emitorului; printr-un nou proces fotolitografic, se realizeaza o masca de oxid care defineste fereastra emitorului (masca 4).
- Etapa a VI-a - implica realizarea ferestrelor de contact printr-un nou proces fotolitografic, (masca 5).
- Etapa a VII-a - consta in depunerea neselectiva a aluminiului, avand o grosime tipica de ordinul unui micrometru, aluminiul este apoi indepartat selectiv folosind un nou proces fotolitografic (masca 6) astfel incat pe structura raman traseele conductoare care leaga diverse terminale ale componentelor.
- Etapa a VIII-a - consta in depunerea neselectiva a unui strat protector care va fi ulterior indepartat din zonele in care se realizeaza contacte in exteriorul circuitului (masca 7); aceste zone se numesc "paduri" sau "ploturi".
Fig.5 Etapele tehnologiei standard
Acest document nu se poate descarca
E posibil sa te intereseze alte documente despre:
|
Copyright © 2024 - Toate drepturile rezervate QReferat.com | Folositi documentele afisate ca sursa de inspiratie. Va recomandam sa nu copiati textul, ci sa compuneti propriul document pe baza informatiilor de pe site. { Home } { Contact } { Termeni si conditii } |
Documente similare:
|
ComentariiCaracterizari
|
Cauta document |