Tranzistorul MOS cu dubla difuzie (DMOS)

Tranzistorul MOS cu dubla difuzie (DMOS)

Performantele de inalta tensiune ale tranzistoarelor MOS pot fi imbunatatite marind lungimea canalului si introducand o rezistenta serie pe canal care sa preia tensiunea mare drena-sursa. Acest deziderat se poate realiza folosind proprietatile difuziei (viteza de difuziune a impuritatilor de tip p este mai mare decat cea a impuritatilor de tip n).

Dispozitivul obtinut poarta numele de DMOS (Double Diffused MOS).

Fig.2a si 2b prezinta cele doua variante constructive ale unui astfel de dispozitiv. Difuzia de n- si p se face simultan prin aceeasi fereastra, dar, datorita vitezei mai mari de difuziune a impuritatilor de tip p decat a celor de tip n, se va crea in substrat o zona in care vor exista impuritati de tip p.

a. b.

Fig.2. Variante constructive ale DMOS

Lungimea canalului este definita de distanta de difuziune a impuritatilor de tip opus substratului. Substratul este de acelasi tip cu drena si sursa, facand parte din drena (fig.2b).

Tranzistoarele DMOS sunt folosite mai ales in aplicatii de putere.